MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.00087 Ω Miglioramento, 198 A, 8 Pin, 1212-F, Superficie SISD5300DN-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
279-9979
Codice costruttore:
SISD5300DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

198A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

1212-F

Serie

SISD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00087Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

36.2nC

Dissipazione di potenza massima Pd

57W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale N e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.

MOSFET di potenza TrenchFET

Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)

RDS molto basso x Qg cifra di merito

Testato al 100% Rg e UIS

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