Codice costruttore

MOSFET Vishay, canale Canale N 100 V, 0.0095 Ω Miglioramento, 55 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiSD5110DN

Codice RS:: 735-132
Codice costruttore:: SiSD5110DN
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Canale N 100 V, 0.0095 Ω Miglioramento, 55 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiSD5110DN

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Codice RS:: 735-132
Codice costruttore:: SiSD5110DN
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Canale N
	Massima corrente di scarico continua Id	55A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Serie	SiS
	Tipo di package	PowerPAK 1212
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.0095Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	19.3nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	57W
	Tensione diretta Vf	100V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	4mm
	Larghezza	4mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Altezza	1mm
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 55A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Serie SiS
	Tipo di package PowerPAK 1212
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0095Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 19.3nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 57W
	Tensione diretta Vf 100V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 4mm
	Larghezza 4mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Altezza 1mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - SiSD5110DN

Paese di origine:: DE

Il MOSFET di potenza TrenchFET Gen V a canale N di Vishay è ottimizzato per la commutazione a bassa perdita in soluzioni di server di potenza AI e alimentatori ad alta densità. Raggiunge una tensione nominale drain-source di 100 V con una resistenza in stato attivo eccezionalmente bassa di 9,5 mΩ massimo a 10 V di gate drive per ridurre al minimo le perdite di conduzione.

Corrente di drenaggio continua di 55 A a TC=25 °C

Dissipazione di potenza massima di 57 W

Bassa carica totale del gate di 29 nC massimo

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