MOSFET Vishay, canale N 100 V, 0.0095 Ω Miglioramento, 55 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SISD5110DN-T1-UE3

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Codice RS:
735-132
Codice costruttore:
SISD5110DN-T1-UE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

55A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

SiS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0095Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

57W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19.3nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

100V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

1mm

Lunghezza

4mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE
Il MOSFET di potenza TrenchFET Gen V a canale N di Vishay è ottimizzato per la commutazione a bassa perdita in soluzioni di server di potenza AI e alimentatori ad alta densità. Raggiunge una tensione nominale drain-source di 100 V con una resistenza in stato attivo eccezionalmente bassa di 9,5 mΩ massimo a 10 V di gate drive per ridurre al minimo le perdite di conduzione.

Corrente di drenaggio continua di 55 A a TC=25 °C

Dissipazione di potenza massima di 57 W

Bassa carica totale del gate di 29 nC massimo

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