MOSFET Vishay, canale Canale N 100 V, 0.0095 Ω Miglioramento, 55 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Montaggio superficiale

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Codice RS:
735-132
Codice costruttore:
SiSD5110DN
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

55A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

SiS

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0095Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19.3nC

Dissipazione di potenza massima Pd

57W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

100V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4mm

Lunghezza

4mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE
Il MOSFET di potenza TrenchFET Gen V a canale N di Vishay è ottimizzato per la commutazione a bassa perdita in soluzioni di server di potenza AI e alimentatori ad alta densità. Raggiunge una tensione nominale drain-source di 100 V con una resistenza in stato attivo eccezionalmente bassa di 9,5 mΩ massimo a 10 V di gate drive per ridurre al minimo le perdite di conduzione.

Corrente di drenaggio continua di 55 A a TC=25 °C

Dissipazione di potenza massima di 57 W

Bassa carica totale del gate di 29 nC massimo

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