MOSFET Vishay, canale Tipo N 150 V, 68.5 mΩ Miglioramento, 18 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SQSA70CENW-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2972
Codice costruttore:
SQSA70CENW-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

68.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.85V

Dissipazione di potenza massima Pd

62.5W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Altezza

3.3mm

Larghezza

3.3 mm

Lunghezza

3.3mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza da 150 V per uso automobilistico canale N TrenchFET Vishay.

Testato al 100% Rg e UIS

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