MOSFET Vishay, canale N 40 V, 5.1 mΩ Miglioramento, 18 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SQS486CENW-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2965
Codice costruttore:
SQS486CENW-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

35.2nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

790mV

Dissipazione di potenza massima Pd

62.5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza da 40 V per uso automobilistico canale N TrenchFET Vishay.

Testato al 100% Rg e UIS

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