MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 135 mΩ Miglioramento, 8 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie

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Codice RS:
170-8306
Codice costruttore:
SQS462EN-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

SQ Rugged

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

135mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

33W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.82V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.12mm

Lunghezza

3.4mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.4 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET canale N, serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor


I MOSFET serie SQ di Vishay Semiconductor sono progettati per tutte le applicazioni automobilistiche che richiedono robustezza e un'elevata affidabilità.

Vantaggi dei MOSFET serie SQ Rugged


• Qualifica AEC-Q101

• Temperatura di giunzione fino a +175 °C

• Tecnologie TrenchFET® a canale N e canale P con bassa resistenza all'accensione

• Innovative opzioni per contenitore salvaspazio

Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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