MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 135 mΩ Miglioramento, 8 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SQS462EN-T1_GE3

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Codice RS:
787-9525
Codice costruttore:
SQS462EN-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

SQ Rugged

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

135mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.82V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8nC

Dissipazione di potenza massima Pd

33W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.4mm

Altezza

1.12mm

Larghezza

3.4 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET canale N, serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor


I MOSFET serie SQ di Vishay Semiconductor sono progettati per tutte le applicazioni automobilistiche che richiedono robustezza e un'elevata affidabilità.

Vantaggi dei MOSFET serie SQ Rugged


• Qualifica AEC-Q101

• Temperatura di giunzione fino a +175 °C

• Tecnologie TrenchFET® a canale N e canale P con bassa resistenza all'accensione

• Innovative opzioni per contenitore salvaspazio

Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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