MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 135 mΩ Miglioramento, 8 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SQS462EN-T1_GE3

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Codice RS:
787-9525
Codice costruttore:
SQS462EN-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

SQ Rugged

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

135mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

33W

Tensione diretta Vf

0.82V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

3.4 mm

Lunghezza

3.4mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.12mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET canale N, serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor


I MOSFET serie SQ di Vishay Semiconductor sono progettati per tutte le applicazioni automobilistiche che richiedono robustezza e un'elevata affidabilità.

Vantaggi dei MOSFET serie SQ Rugged


• Qualifica AEC-Q101

• Temperatura di giunzione fino a +175 °C

• Tecnologie TrenchFET® a canale N e canale P con bassa resistenza all'accensione

• Innovative opzioni per contenitore salvaspazio

Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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