MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 11 mΩ Miglioramento, 16 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SQS484CENW-T1_GE3

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Codice RS:
200-6850
Codice costruttore:
SQS484CENW-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

16A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

SQS484CENW

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

40nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

62.5W

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.4mm

Altezza

3.4mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.12 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il Vishay SQS484CENW-T1_GE3 è un MOSFET a 175 °C 40V (D-S) a canale N per uso automobilistico.

MOSFET di potenza TrenchFET®

Qualifica AEC-Q101

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