MOSFET Vishay, canale N 60 V, 23 mΩ Miglioramento, 18 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SQS414CENW-T1_GE3

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1250 - 24750,40 €10,00 €
2500 +0,307 €7,68 €

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2963
Codice costruttore:
SQS414CENW-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

23mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

780mV

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.9nC

Dissipazione di potenza massima Pd

33W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza da 60 V per uso automobilistico canale N TrenchFET Vishay.

Testato al 100% Rg e UIS

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