MOSFET Vishay, canale Tipo N -40 V, 0.01 mΩ Miglioramento, 141 A, 8 Pin, PowerPAK 1212-8, Superficie SQS180ELNW-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
252-0324
Codice costruttore:
SQS180ELNW-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

141A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-40V

Tipo di package

PowerPAK 1212-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.01mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

192W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

94nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.15mm

Larghezza

3.3 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

I MOSFET per uso automobilistico di Vishay sono prodotti con un flusso di processo dedicato per garantire la massima robustezza. Con una temperatura di giunzione massima di 175 °C, la serie SQ di Vishay Siliconix, qualificata AEC-Q101, è caratterizzata da tecnologie FET a canale N e P a bassa resistenza di accensione in package SO senza piombo (Pb) e alogeni.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

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