MOSFET Vishay, canale N -40 V, 0.01 mΩ Miglioramento, 101 A, 8 Pin, PowerPAK 1212-8SLW, Superficie SQS141ELNW-T1_GE3
- Codice RS:
- 252-0318
- Codice costruttore:
- SQS141ELNW-T1_GE3
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 10 unità*
8,87 €
(IVA esclusa)
10,82 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 1770 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,887 € | 8,87 € |
| 100 - 240 | 0,834 € | 8,34 € |
| 250 - 490 | 0,754 € | 7,54 € |
| 500 - 990 | 0,71 € | 7,10 € |
| 1000 + | 0,665 € | 6,65 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 252-0318
- Codice costruttore:
- SQS141ELNW-T1_GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 101A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -40V | |
| Tipo di package | PowerPAK 1212-8SLW | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.01mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 192W | |
| Tensione diretta Vf | 1.1V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 94nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6.15mm | |
| Larghezza | 3.3mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 101A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -40V | ||
Tipo di package PowerPAK 1212-8SLW | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.01mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 192W | ||
Tensione diretta Vf 1.1V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 94nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6.15mm | ||
Larghezza 3.3mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
I MOSFET per uso automobilistico di Vishay sono prodotti con un flusso di processo dedicato per garantire la massima robustezza. Con una temperatura di giunzione massima di 175 °C, la serie SQ di Vishay Siliconix, qualificata AEC-Q101, è caratterizzata da tecnologie FET a canale N e P a bassa resistenza di accensione in package SO senza piombo (Pb) e alogeni.
MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV
Qualificato AEC-Q101
Testato al 100% Rg e UIS
Terminali laterali bagnabili
Bassa resistenza termica con profilo da 0,75 mm