MOSFET Vishay, canale Canale N 80 V, 0.00825 Ω Miglioramento, 54.7 A, 8 Pin, PowerPAK 1212-8S, Superficie

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Codice RS:
736-352
Codice costruttore:
SISS30DN-T1-BE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

54.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

PowerPAK 1212-8S

Serie

SISS30DN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00825Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

26nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

57W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

3.3mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL
Il MOSFET a canale N di Vishay è progettato per applicazioni efficienti di rettifica sincrona e conversione di potenza. Offre un'eccellente stabilità delle prestazioni in ambienti difficili.

La tecnologia TrenchFET Gen IV migliora l'efficienza elettrica

La bassissima resistenza in stato attivo riduce al minimo le perdite di energia durante il funzionamento

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