MOSFET Vishay, canale Canale N 60 V, 0.0045 Ω Miglioramento, 60 A, 8 Pin, PowerPAK 1212-8S, Superficie SISS26DN-T1-BE3

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Codice RS:
736-350
Codice costruttore:
SISS26DN-T1-BE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK 1212-8S

Serie

SISS26DN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0045Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

57W

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

24.5nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

3.3mm

Lunghezza

3.3mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL
Il MOSFET a canale N di Vishay è progettato per applicazioni efficienti di gestione dell'alimentazione. Funziona efficacemente ad alte tensioni con una bassa resistenza in stato attivo, il che lo rende ideale per la rettifica sincrona e i convertitori CC-CC.

Valore nominale per una tensione drain-source di 60 V, garantendo un funzionamento robusto

Ottimizzato per una perdita di potenza minima in varie applicazioni

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