MOSFET Vishay, canale Canale N 30 V, 0.00095 Ω Miglioramento, 162 A, 8 Pin, PowerPAK 1212-8S, Superficie SISS52DN-T1-BE3

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Codice RS:
736-353
Codice costruttore:
SISS52DN-T1-BE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

162A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK 1212-8S

Serie

SISS52DN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00095Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

38nC

Dissipazione di potenza massima Pd

57W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16V

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

3.3mm

Lunghezza

3.3mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL
Il MOSFET a canale N di Vishay è progettato per applicazioni di commutazione robuste, offrendo un'eccellente efficienza e affidabilità nelle soluzioni di gestione dell'alimentazione.

Testato per il 100% di R g e UIS, garantisce un'affidabilità superiore

La classificazione della conformità ai materiali migliora la sicurezza ambientale

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