MOSFET Vishay, canale Canale N 30 V, 0.0021 Ω Miglioramento, 40 A, 8 Pin, PowerPAK 1212-8S, Superficie SISS64DN-T1-UE3

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Codice RS:
736-356
Codice costruttore:
SISS64DN-T1-UE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

SISS64DN

Tipo di package

PowerPAK 1212-8S

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0021Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

21nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

57W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

3.3mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL
Il MOSFET a canale N di Vishay è progettato per una gestione efficiente dell'alimentazione in varie applicazioni, garantendo un funzionamento affidabile in condizioni difficili con caratteristiche avanzate per ridurre le perdite di commutazione.

Supporta la rettifica sincrona e le applicazioni ad alta densità di potenza

Resistenza in stato attivo ultrabassa alle tensioni di gate specificate

Elevata corrente nominale di scarico continuo per carichi impegnativi

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