MOSFET Vishay, canale Canale N 30 V, 0.0021 Ω Miglioramento, 40 A, 8 Pin, PowerPAK 1212-8S, Superficie SISS64DN-T1-BE3

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Codice RS:
736-354
Codice costruttore:
SISS64DN-T1-BE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK 1212-8S

Serie

SISS64DN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0021Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

21nC

Dissipazione di potenza massima Pd

57W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

3.3mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL
Il MOSFET di potenza Vishay offre prestazioni eccezionali con la sua configurazione a canale N. Progettato principalmente per applicazioni di commutazione efficienti, ottimizza la gestione dell'alimentazione in vari circuiti elettronici, garantendo un funzionamento affidabile in condizioni difficili.

Dispone della tecnologia TrenchFET Gen IV per una maggiore efficienza

I rapporti Qg, Qgd e Qgs ottimizzati riducono le perdite di commutazione

Corrente nominale di scarico continua fino a 40 A per prestazioni robuste

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