MOSFET Vishay, canale Canale N 60 V, 0.0045 Ω Miglioramento, 60 A, 8 Pin, PowerPAK 1212-8S, Superficie SISS26DN-T1-UE3

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Codice RS:
736-351
Codice costruttore:
SISS26DN-T1-UE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK 1212-8S

Serie

SISS26DN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0045Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

24.5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

57W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

3.3mm

Larghezza

3.3mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL
Il MOSFET a canale N di Vishay è progettato per applicazioni di gestione dell'alimentazione, con specifiche robuste e un funzionamento efficiente adatto agli ambienti elettronici più difficili.

La tecnologia TrenchFET Gen IV garantisce prestazioni ed efficienza superiori

In grado di gestire una tensione massima drain-source di 60 V

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