MOSFET singoli Vishay, canale Canale N 60 V, 0.0072 Ω Modalità di potenziamento, 52 A, 8 Pin, PowerPAK 1212-8SLW,

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Codice RS:
829-348
Codice costruttore:
SISS862ADN-T1-UE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

52A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK 1212-8SLW

Serie

SISS

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0072Ω

Modalità canale

Modalità di potenziamento

Dissipazione di potenza massima Pd

39W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19.8nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.30mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Larghezza

3.30mm

Altezza

1.07mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL
Il MOSFET a canale N avanzato di Vishay è progettato principalmente per applicazioni di commutazione ad alta efficienza. Offre prestazioni robuste con basse caratteristiche di resistenza all'accensione.

La tensione d'esercizio fino a 60 V garantisce la versatilità in tutte le applicazioni

La bassissima resistenza in stato attivo ottimizza l'efficienza energetica

L'area operativa sicura garantita migliora l'affidabilità in condizioni di alta richiesta

Testato accuratamente per R e UIS per prestazioni garantite

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