MOSFET singoli Vishay, canale N 80 V, 0.0026 Ω Modalità di potenziamento, 149 A, 8 Pin, P, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 829-365
- Codice costruttore:
- SIR580LDP-T1-UE3
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 unità*
2,35 €
(IVA esclusa)
2,87 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 12 novembre 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,35 € |
| 10 - 99 | 1,49 € |
| 100 - 499 | 1,03 € |
| 500 - 999 | 0,87 € |
| 1000 + | 0,76 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 829-365
- Codice costruttore:
- SIR580LDP-T1-UE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 149A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Serie | SI | |
| Tipo di package | P | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0026Ω | |
| Modalità canale | Modalità di potenziamento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 104W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 38.5nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 5.15mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Altezza | 1.04mm | |
| Lunghezza | 6.15mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 149A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Serie SI | ||
Tipo di package P | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0026Ω | ||
Modalità canale Modalità di potenziamento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 104W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 38.5nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 5.15mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Altezza 1.04mm | ||
Lunghezza 6.15mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- DE
Il MOSFET a canale N di Vishay, progettato per applicazioni di commutazione ad alta efficienza, offre prestazioni robuste in condizioni difficili grazie alla sua bassa resistenza in stato attivo e alle certificazioni di test complete.
Valore nominale per una tensione drain-source di 80 V, garantendo un funzionamento affidabile in varie condizioni
Presenta una resistenza massima di accensione di soli 0,0026 Ohm a 10 V, promuovendo l'efficienza energetica
Incorpora una bassa tensione di soglia del gate da 1 a 2,5 V, migliorando la compatibilità con un'ampia gamma di circuiti
Offre una robusta corrente di drenaggio continua di 149 A, adatta per applicazioni ad alta potenza
Link consigliati
- MOSFET singoli Vishay 0.0192 Ω Modalità di potenziamento 8 Pin Montaggio superficiale
- MOSFET singoli Vishay 0.00288 Ω Modalità di potenziamento 8 Pin Montaggio superficiale
- MOSFET singoli Vishay 0.0156 Ω Modalità di potenziamento 8 Pin Montaggio superficiale
- MOSFET singoli Vishay 0.0072 Ω Modalità di potenziamento 8 Pin Montaggio
- MOSFET singoli Vishay 0.020 Ω Modalità di potenziamento 8 Pin Montaggio
- MOSFET singoli Vishay 0.0192 Ω Modalità di potenziamento 6 Pin Montaggio superficiale
- MOSFET singoli Vishay 0.054 Ω Modalità di potenziamento 8 Pin Montaggio superficiale
- MOSFET singoli Vishay 0.0027 Ω Modalità di potenziamento 8 Pin Montaggio superficiale