MOSFET singoli Vishay, canale N 70 V, 0.020 Ω Modalità di potenziamento, 34.6 A, 8 Pin, PowerPAIR 3 x 3FS, Montaggio
- Codice RS:
- 847-936
- Codice costruttore:
- SIZF458LDT-T1-UE3
- Costruttore:
- Vishay
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- SIZF458LDT-T1-UE3
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Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 34.6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 70V | |
| Tipo di package | PowerPAIR 3 x 3FS | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.020Ω | |
| Modalità canale | Modalità di potenziamento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 5.2nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 48.1W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 12V | |
| Tensione diretta Vf | 1.1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 3.3mm | |
| Lunghezza | 3.3mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS3 Compliant | |
| Altezza | 1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Massima corrente di scarico continua Id 34.6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 70V | ||
Tipo di package PowerPAIR 3 x 3FS | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.020Ω | ||
Modalità canale Modalità di potenziamento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 5.2nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 48.1W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12V | ||
Tensione diretta Vf 1.1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 3.3mm | ||
Lunghezza 3.3mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS3 Compliant | ||
Altezza 1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- TW
Il MOSFET a doppio canale N Vishay è progettato per una gestione efficiente dell'alimentazione, servendo principalmente in applicazioni di commutazione che richiedono elevata affidabilità e prestazioni in condizioni di tensione variabili.
Funziona con una tensione massima drain-source di 70 V per prestazioni robuste
Ottimizzato per le configurazioni del 50% del ciclo di lavoro, migliorando l'efficienza nella commutazione
Utilizza la tecnologia flip chip, offrendo un design termico superiore per una migliore dissipazione del calore
testato al 100% per R e UIS per garantire l'affidabilità in applicazioni critiche
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