MOSFET Vishay, canale Doppio canale N 30 V, 0.0032 Ω Miglioramento, 100 A, 12 Pin, PowerPAIR 3 x 3FS, Superficie

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Codice RS:
736-358
Codice costruttore:
SIZF5302DT-T1-UE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Doppio canale N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAIR 3 x 3FS

Serie

SIZF5302DT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

12

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0032Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16V

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14.8nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

48.1W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

3.3mm

Larghezza

3.3mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL
Il MOSFET a doppio canale N di Vishay gestisce in modo efficiente l'alimentazione in varie applicazioni come i buck sincroni e le periferiche di computer.

Utilizza la tecnologia TrenchFET Gen V per una maggiore efficienza

L'architettura a doppio canale N ottimizza la dissipazione del calore

In grado di gestire una corrente di drenaggio continua massima di 28,1 A a 25 °C

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