MOSFET Vishay, canale Doppio canale N 30 V, 0.0032 Ω Miglioramento, 100 A, 12 Pin, PowerPAIR 3 x 3FS, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 nastro da 1 unità*

1,19 €

(IVA esclusa)

1,45 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili - Si prega di controllare più tardi
Nastro/i
Per Nastro
1 +1,19 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
736-358
Codice costruttore:
SIZF5302DT-T1-UE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Doppio canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

SIZF5302DT

Tipo di package

PowerPAIR 3 x 3FS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

12

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0032Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

48.1W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14.8nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.3mm

Larghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL
Il MOSFET a doppio canale N di Vishay gestisce in modo efficiente l'alimentazione in varie applicazioni come i buck sincroni e le periferiche di computer.

Utilizza la tecnologia TrenchFET Gen V per una maggiore efficienza

L'architettura a doppio canale N ottimizza la dissipazione del calore

In grado di gestire una corrente di drenaggio continua massima di 28,1 A a 25 °C

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.