MOSFET Vishay, canale Doppio N 30 V, 0.00351 Ω Miglioramento, 125 A, 12 Pin, PowerPAIR 3 x 3FS, Superficie

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Codice RS:
736-656
Codice costruttore:
SIZF5300DT-T1-UE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Doppio N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

125A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

PowerPAIR 3 x 3FS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

12

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00351Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16V

Dissipazione di potenza massima Pd

56.8W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

32nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.3mm

Lunghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL
Il MOSFET a doppio canale N ad alte prestazioni di Vishay è progettato per una gestione efficiente dell'alimentazione in varie applicazioni, offrendo prestazioni termiche e capacità di commutazione superiori.

La tecnologia TrenchFET Gen V ottimizza l'efficienza e le prestazioni

La configurazione a doppio canale n simmetrica consente progetti di circuiti versatili

I MOSFET high-side e low-side supportano applicazioni con un ciclo di lavoro del 50%

Test approfonditi garantiscono un funzionamento affidabile in condizioni rigorose

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