MOSFET Vishay, canale Doppio N 30 V, 0.00351 Ω Miglioramento, 125 A, 12 Pin, PowerPAIR 3 x 3FS, Superficie

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Codice RS:
736-656
Codice costruttore:
SIZF5300DT-T1-UE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Doppio N

Massima corrente di scarico continua Id

125A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAIR 3 x 3FS

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

12

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00351Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

56.8W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

32nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

3.3mm

Larghezza

3.3mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL
Il MOSFET a doppio canale N ad alte prestazioni di Vishay è progettato per una gestione efficiente dell'alimentazione in varie applicazioni, offrendo prestazioni termiche e capacità di commutazione superiori.

La tecnologia TrenchFET Gen V ottimizza l'efficienza e le prestazioni

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