MOSFET Vishay, canale Doppio N 30 V, 0.00351 Ω Miglioramento, 125 A, 12 Pin, PowerPAIR 3 x 3FS, Superficie

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Codice RS:
736-656
Codice costruttore:
SIZF5300DT-T1-UE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Doppio N

Massima corrente di scarico continua Id

125A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAIR 3 x 3FS

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

12

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00351Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

56.8W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

32nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.3mm

Lunghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL
Il MOSFET a doppio canale N ad alte prestazioni di Vishay è progettato per una gestione efficiente dell'alimentazione in varie applicazioni, offrendo prestazioni termiche e capacità di commutazione superiori.

La tecnologia TrenchFET Gen V ottimizza l'efficienza e le prestazioni

La configurazione a doppio canale n simmetrica consente progetti di circuiti versatili

I MOSFET high-side e low-side supportano applicazioni con un ciclo di lavoro del 50%

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