2 Doppio MOSFET a canale N da 30 V (D-S) Vishay Duale, canale N, 0.0032 Ω, 100 A 30 V, PowerPAIR 3 x 3FS, Superficie, 12
- Codice RS:
- 252-0295
- Codice costruttore:
- SIZF5302DT-T1-RE3
- Costruttore:
- Vishay
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 252-0295
- Codice costruttore:
- SIZF5302DT-T1-RE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | Doppio MOSFET a canale N da 30 V (D-S) | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 100A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | PowerPAIR 3 x 3FS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 12 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0032Ω | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 16V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 48.1W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto Doppio MOSFET a canale N da 30 V (D-S) | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 100A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package PowerPAIR 3 x 3FS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 12 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0032Ω | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 16V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 48.1W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
La linea di prodotti MOSFET Vishay Siliconix include una vasta gamma di tecnologie avanzate. I MOSFET sono dispositivi a transistor controllati da un condensatore. Effetto di campo significa che sono controllati dalla tensione. I MOSFET a canale N contengono ulteriori elettroni liberi di muoversi. Si tratta di un tipo di canale più popolare. I MOSFET a canale N funzionano quando una carica positiva viene applicata al terminale di gate.
MOSFET di potenza TrenchFET Gen V
Doppio canale N simmetrico
Tecnologia Flip chip con design termico ottimale
Forma ottimizzata dei MOSFET high side e low side
Combinazione per un ciclo di lavoro del 50%
La FOM ottimizzata RDS - Qg e RDS - Qgd aumenta l'efficienza
Per swi ad alta frequenza
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