2 MOSFET Vishay Duale, canale N, 0.0021 Ω, 257 A 30 V, PowerPAIR 6 x 5F, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2941
Codice costruttore:
SiZF906BDT-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

257A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAIR 6 x 5F

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0021Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Standard/Approvazioni

RoHS

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N doppio Vishay da 30 V (D-S).

Testato al 100% Rg e UIS

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