2 MOSFET Vishay Duale, canale N, 0.01887 Ω, 38 A 60 V, PowerPAIR 3 x 3FDC, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 200-6874
- Codice costruttore:
- SiZ250DT-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 200-6874
- Codice costruttore:
- SiZ250DT-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 38A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Tipo di package | PowerPAIR 3 x 3FDC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.01887Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 33W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 13.5nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Altezza | 750μm | |
| Larghezza | 3.3mm | |
| Lunghezza | 3.3mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 38A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Tipo di package PowerPAIR 3 x 3FDC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.01887Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 33W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13.5nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Altezza 750μm | ||
Larghezza 3.3mm | ||
Lunghezza 3.3mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
Vishay SiZ250DT-T1-GE3 è un doppio MOSFET a canale N 60V (D-S).
MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV
100 % Rg e collaudato UIS
Il rapporto QGS/QGS ottimizzato migliora la commutazione
Caratteristiche
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