2 MOSFET Vishay Duale, canale Tipo N, 0.0161 Ω, 32.5 A 70 V, PowerPAIR 3 x 3S, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2935
Codice costruttore:
SiZ254DT-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

32.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

70V

Tipo di package

PowerPAIR 3 x 3S

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0161Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

33W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET a doppio canale N Vishay da 70 V (D-S).

Testato al 100% Rg e UIS

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