MOSFET Vishay, canale N 80 V, 0.0247 Ω, 8.9 A, 8 Pin, PowerPAIR 3 x 3S, Superficie SIZ260DT-T1-GE3

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:
256-7436
Codice costruttore:
SIZ260DT-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

8.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

SIZ260DT

Tipo di package

PowerPAIR 3 x 3S

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0247Ω

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.3nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

33W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

+150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

3.3mm

Lunghezza

3.3mm

Standard automobilistico

No

MOSFET serie SIZ260DT di Vishay, dissipazione di potenza massima 33 W, tensione massima della sorgente di drenaggio 80 V - SIZ260DT-T1-GE3


Questo MOSFET è un transistor a canale N a montaggio superficiale progettato per la commutazione di potenza in elettronica compatta. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è adatto per applicazioni che richiedono una gestione di tensione moderata e un'elevata capacità di corrente continua. Il dispositivo è conforme alla direttiva RoHS e viene fornito in un contenitore PowerPAIR 3x3S compatto per layout di schede densi.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale drain-source di 80 V consente la commutazione a media tensione
• La corrente di drenaggio continua di 8,9 A supporta circuiti ad alto carico
• L'Rds(on) di 0.0247 Ω riduce le perdite di conduzione per una maggiore efficienza
• La carica gate tipica di 6.3 nC consente una risposta gate drive più rapida
• La dissipazione di potenza massima di 33 W gestisce lo stress termico
• Il limite gate-source a 20 V fornisce un ampio margine gate-drive

Applicazioni


• Adatto per le fasi di commutazione dei convertitori CC-CC
• Utilizzato per le configurazioni a mezzo ponte dell'azionamento del motore
• Ideale per la gestione dell'alimentazione nelle apparecchiature di telecomunicazione
• Può essere utilizzato per la rettifica sincrona in SMPS
• Adatto per interruttori di carico ad alta corrente su schede compatte

Quale ingombro del contenitore è necessario consentire per il montaggio?


Il dispositivo viene fornito in un contenitore a montaggio superficiale PowerPAIR 3x3S con un ingombro nominale di 3,3 mm x 3,3 mm e otto pin, pertanto i tamponi di progettazione devono corrispondere a questo profilo compatto.

Come si comporta a temperature estreme?


È specificato per funzionare da -55 °C fino a +150 °C, mantenendo le caratteristiche di conduzione e commutazione all'interno di tale intervallo di temperatura.

Quali sono i vincoli dell'azionamento del gate da rispettare?


La tensione gate-sorgente massima consentita è di 20 V

i circuiti gate-drive devono essere progettati per mantenere Vgs entro questo limite per evitare lo stress del dispositivo.

Come deve essere presa in considerazione la gestione termica nei progetti?


Con una dissipazione di potenza massima di 33 W, è necessario incorporare un'adeguata rame per circuito stampato, vie termiche o dissipatore di calore per mantenere la temperatura di giunzione entro limiti sicuri.

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