2 MOSFET Vishay Duale, canale Tipo N, 0.0377 Ω, 19.1 A 100 V, PowerPAIR 3 x 3S, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

1707,00 €

(IVA esclusa)

2082,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 10 luglio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,569 €1.707,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
204-7263
Codice costruttore:
SIZ270DT-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

19.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

SiZ270DT

Tipo di package

PowerPAIR 3 x 3S

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0377Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13.3nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

33W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Lunghezza

3.3mm

Altezza

0.75mm

Larghezza

3.3 mm

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

I MOSFET a doppio canale N Vishay da 100 V (D-S) sono uno stadio di potenza half-bridge MOSFET integrato e sono dotati di un rapporto QGS/QGS ottimizzato che migliora le caratteristiche di commutazione.

Testato al 100% Rg e UIS

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

Link consigliati