2 MOSFET Vishay Duale, canale Tipo N, 0.0377 Ω, 19.1 A 100 V, PowerPAIR 3 x 3S, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 204-7264
- Codice costruttore:
- SIZ270DT-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 1,20 € | 24,00 € |
| 100 - 180 | 1,02 € | 20,40 € |
| 200 - 480 | 0,841 € | 16,82 € |
| 500 - 980 | 0,807 € | 16,14 € |
| 1000 + | 0,787 € | 15,74 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 204-7264
- Codice costruttore:
- SIZ270DT-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 19.1A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | PowerPAIR 3 x 3S | |
| Serie | SiZ270DT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0377Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 33W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 13.3nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 3.3mm | |
| Altezza | 0.75mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 19.1A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package PowerPAIR 3 x 3S | ||
Serie SiZ270DT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0377Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 33W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13.3nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 3.3mm | ||
Altezza 0.75mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
I MOSFET a doppio canale N Vishay da 100 V (D-S) sono uno stadio di potenza half-bridge MOSFET integrato e sono dotati di un rapporto QGS/QGS ottimizzato che migliora le caratteristiche di commutazione.
Testato al 100% Rg e UIS
MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV
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