2 MOSFET Vishay Duale, canale Tipo N, 0.0377 Ω, 19.1 A 100 V, PowerPAIR 3 x 3S, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
204-7264
Codice costruttore:
SIZ270DT-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

19.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

SiZ270DT

Tipo di package

PowerPAIR 3 x 3S

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0377Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

33W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13.3nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.3mm

Altezza

0.75mm

Larghezza

3.3 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

I MOSFET a doppio canale N Vishay da 100 V (D-S) sono uno stadio di potenza half-bridge MOSFET integrato e sono dotati di un rapporto QGS/QGS ottimizzato che migliora le caratteristiche di commutazione.

Testato al 100% Rg e UIS

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