2 MOSFET Vishay Duale, canale Tipo N, 0.00805 Ω, 48 A 40 V, PowerPAIR 3 x 3S, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

1692,00 €

(IVA esclusa)

2064,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 23 giugno 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,564 €1.692,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
200-6852
Codice costruttore:
SiZ240DT-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

48A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

TrenchFET Gen IV

Tipo di package

PowerPAIR 3 x 3S

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00805Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15.2nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

33W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Altezza

0.8mm

Lunghezza

3.4mm

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Vishay SiZ240DT-T1-GE3 è un doppio MOSFET a canale N 40V (D-S).

MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

Stadio di potenza half-bridge MOSFET integrato

100 % Rg e collaudato UIS

Il rapporto QGS/QGS ottimizzato migliora le caratteristiche di commutazione

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.