2 MOSFET Vishay Duale, canale N, 0.00805 Ω, 48 A 40 V, PowerPAIR 3 x 3S, Superficie Miglioramento, 8 Pin SiZ240DT-T1-GE3

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Codice RS:
200-6852
Codice costruttore:
SiZ240DT-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

48A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PowerPAIR 3 x 3S

Serie

TrenchFET Gen IV

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00805Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

33W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15.2nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Larghezza

3.4mm

Lunghezza

3.4mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

800μm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Vishay SiZ240DT-T1-GE3 è un doppio MOSFET a canale N 40V (D-S).

MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

Stadio di potenza half-bridge MOSFET integrato

100 % Rg e collaudato UIS

Il rapporto QGS/QGS ottimizzato migliora le caratteristiche di commutazione

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