2 MOSFET Vishay Duale, canale N, 0.00805 Ω, 48 A 40 V, PowerPAIR 3 x 3S, Superficie Miglioramento, 8 Pin SiZ240DT-T1-GE3
- Codice RS:
- 200-6853
- Codice costruttore:
- SiZ240DT-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 confezione da 25 unità*
36,65 €
(IVA esclusa)
44,73 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 1,466 € | 36,65 € |
| 50 - 100 | 1,232 € | 30,80 € |
| 125 - 225 | 1,174 € | 29,35 € |
| 250 - 600 | 1,099 € | 27,48 € |
| 625 + | 1,026 € | 25,65 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 200-6853
- Codice costruttore:
- SiZ240DT-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 48A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | PowerPAIR 3 x 3S | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.00805Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 33W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 15.2nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Larghezza | 3.4mm | |
| Lunghezza | 3.4mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 800μm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 48A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package PowerPAIR 3 x 3S | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.00805Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 33W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 15.2nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Larghezza 3.4mm | ||
Lunghezza 3.4mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 800μm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
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