2 MOSFET Vishay Duale, canale Tipo N, 0.00856 Ω, 69.3 A 30 V, PowerPAIR 3 x 3S, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 228-2939
- Codice costruttore:
- SiZ340BDT-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 confezione da 25 unità*
19,20 €
(IVA esclusa)
23,425 €
(IVA inclusa)
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- 5950 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,768 € | 19,20 € |
| 125 - 225 | 0,691 € | 17,28 € |
| 250 - 600 | 0,654 € | 16,35 € |
| 625 - 1225 | 0,538 € | 13,45 € |
| 1250 + | 0,384 € | 9,60 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 228-2939
- Codice costruttore:
- SiZ340BDT-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 69.3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | PowerPAIR 3 x 3S | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.00856Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 31W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 69.3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package PowerPAIR 3 x 3S | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.00856Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 8.4nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 31W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
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