2 MOSFET Vishay Duale, canale Tipo N, 0.00856 Ω, 69.3 A 30 V, PowerPAIR 3 x 3S, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2939
Codice costruttore:
SiZ340BDT-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

69.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

PowerPAIR 3 x 3S

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00856Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

31W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.4nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Standard/Approvazioni

RoHS

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET Vishay Dual N-Channel 30 V (D-S).

Testato al 100% Rg e UIS

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