2 MOSFET Vishay Duale, canale N, 0.01887 Ω, 38 A 60 V, PowerPAIR 3 x 3FDC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Codice RS:
200-6873
Codice costruttore:
SiZ250DT-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

38A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAIR 3 x 3FDC

Serie

TrenchFET Gen IV

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.01887Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

33W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13.5nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

750μm

Larghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.3mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Vishay SiZ250DT-T1-GE3 è un doppio MOSFET a canale N 60V (D-S).

MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

100 % Rg e collaudato UIS

Il rapporto QGS/QGS ottimizzato migliora la commutazione

Caratteristiche

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