2 MOSFET di potenza Vishay Siliconix Duale, canale N, 10 mΩ, 30 A 30 V, PowerPAIR 3 x 3, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
178-3932
Codice costruttore:
SiZ348DT-T1-GE3
Costruttore:
Vishay Siliconix
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Marchio

Vishay Siliconix

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

PowerPAIR 3 x 3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-16V, +20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12.1nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

16.7W

Tensione diretta Vf

1.2V

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

+150°C

Larghezza

3mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3mm

Altezza

750μm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Esente

Paese di origine:
TW
MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

Combinazione di forma ottimizzata high side e low side MOSFET 50% di duty cycle

RDS ottimizzata - Qg e RDS - Qgd FOM eleva l'efficienza di commutazione ad alta frequenza

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