2 MOSFET di potenza Vishay Siliconix Duale, canale Tipo N, 9 mΩ, 30 A 30 V, PowerPAIR 3 x 3, Superficie Miglioramento, 8

Visualizza MOSFET
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Codice RS:
178-3703
Codice costruttore:
SiZ350DT-T1-GE3
Costruttore:
Vishay Siliconix
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay Siliconix

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

PowerPAIR 3 x 3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

150°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12.1nC

Dissipazione di potenza massima Pd

16.7W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Duale

Lunghezza

3mm

Altezza

0.75mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Esente

MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

MOSFET high side e low side formano

la combinazione ottimizzata per il 50% di duty cycle

RDS - Qg e RDS - Qgd FOM elevano

l'efficienza di commutazione ad alta frequenza

APPLICAZIONI

Buck sincrono

Conversione c.c./c.c.

Half Bridge

POL

Link consigliati