2 MOSFET Vishay Duale, canale Tipo N, 0.00351 Ω, 125 A 30 V, PowerPAIR 3 x 3FS, Superficie, 12 Pin SIZF5300DT-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
252-0293
Codice costruttore:
SIZF5300DT-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

125A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAIR 3 x 3FS

Serie

SiZF5300DT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

12

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00351Ω

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.5nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

56.8W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Lunghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

3.3mm

Larghezza

3.3 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

La linea di prodotti MOSFET Vishay Siliconix include una vasta gamma di tecnologie avanzate. I MOSFET sono dispositivi a transistor controllati da un condensatore. Effetto campo significa che sono controllati dalla tensione. I MOSFET a canale N contengono ulteriori elettroni liberi di muoversi. Si tratta di un tipo di canale più popolare. I MOSFET a canale N funzionano quando una carica positiva viene applicata al terminale di gate.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen V

Doppio canale N simmetrico

Tecnologia Flip chip con design termico ottimale

Forma ottimizzata dei MOSFET high side e low side

Combinazione per un ciclo di lavoro del 50%

La FOM ottimizzata RDS - Qg e RDS - Qgd aumenta l'efficienza

Per swi ad alta frequenza

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