2 MOSFET Vishay Duale, canale Tipo N, 0.00351 Ω, 125 A 30 V, PowerPAIR 3 x 3FS, Superficie, 12 Pin SIZF5300DT-T1-GE3
- Codice RS:
- 252-0293
- Codice costruttore:
- SIZF5300DT-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 50 - 120 | 2,924 € | 14,62 € |
| 125 - 245 | 2,64 € | 13,20 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 252-0293
- Codice costruttore:
- SIZF5300DT-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 125A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | SiZF5300DT | |
| Tipo di package | PowerPAIR 3 x 3FS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 12 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.00351Ω | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 56.8W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 9.5nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 3.3mm | |
| Lunghezza | 3.3mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 125A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie SiZF5300DT | ||
Tipo di package PowerPAIR 3 x 3FS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 12 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.00351Ω | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 56.8W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 9.5nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 3.3mm | ||
Lunghezza 3.3mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
La linea di prodotti MOSFET Vishay Siliconix include una vasta gamma di tecnologie avanzate. I MOSFET sono dispositivi a transistor controllati da un condensatore. Effetto campo significa che sono controllati dalla tensione. I MOSFET a canale N contengono ulteriori elettroni liberi di muoversi. Si tratta di un tipo di canale più popolare. I MOSFET a canale N funzionano quando una carica positiva viene applicata al terminale di gate.
MOSFET di potenza TrenchFET Gen V
Doppio canale N simmetrico
Tecnologia Flip chip con design termico ottimale
Forma ottimizzata dei MOSFET high side e low side
Combinazione per un ciclo di lavoro del 50%
La FOM ottimizzata RDS - Qg e RDS - Qgd aumenta l'efficienza
Per swi ad alta frequenza
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