2 MOSFET Vishay, canale N, 36 A 80 V, 3 x 3FS, Superficie Miglioramento, 12 Pin SIZF4800LDT-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
280-0006
Codice costruttore:
SIZF4800LDT-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

36A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

SIZF4800LDT

Tipo di package

3 x 3FS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

12

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

80V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101, RoHS, 100 percent Rg and UIS tested

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale N doppio e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.

MOSFET di potenza TrenchFET

Testato al 100% Rg e UIS

Doppio canale n simmetrico

Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)

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