MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 3.9 mΩ Miglioramento, 36 A, 8 Pin, SOIC, Superficie SI4154DY-T1-GE3

Codice RS:: 180-7965
Codice costruttore:: SI4154DY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 3.9 mΩ Miglioramento, 36 A, 8 Pin, SOIC, Superficie SI4154DY-T1-GE3

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Codice RS:: 180-7965
Codice costruttore:: SI4154DY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	36A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Serie	TrenchFET
	Tipo di package	SOIC
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	3.9mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1.1V
	Dissipazione di potenza massima Pd	5W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	32.5nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 36A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Serie TrenchFET
	Tipo di package SOIC
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.9mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1.1V
	Dissipazione di potenza massima Pd 5W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 32.5nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Datasheet

Paese di origine:: CN

MOSFET Vishay

Il MOSFET a canale N a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 40V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 3,3 Mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 7,8 W e corrente di drain continua di 36A. La tensione di pilotaggio minima e massima per questo MOSFET è di 4,5 V e 10V rispettivamente. Il MOSFET è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi

• Senza alogeni

• senza piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications

• POL

Raddrizzatore sincrono da •

Certificazioni

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21