MOSFET Vishay, canale N, 0,0039 O, 36 A, SOIC, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 180-7284
- Codice costruttore:
- SI4154DY-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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Aggiunto
Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)
0,653 €
(IVA esclusa)
0,797 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per Bobina* |
| 2500 + | 0,653 € | 1.632,50 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 180-7284
- Codice costruttore:
- SI4154DY-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
MOSFET Vishay
Il MOSFET a canale N a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 40V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 3,3 Mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 7,8 W e corrente di drain continua di 36A. La tensione di pilotaggio minima e massima per questo MOSFET è di 4,5 V e 10V rispettivamente. Il MOSFET è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
• Senza alogeni
• senza piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
MOSFET di potenza TrenchFET da •
• senza piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
MOSFET di potenza TrenchFET da •
Applications
• POL
Raddrizzatore sincrono da •
Raddrizzatore sincrono da •
Certificazioni
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 36 A |
| Tensione massima drain source | 40 V |
| Tipo di package | SOIC |
| Serie | TrenchFET |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 8 |
| Resistenza massima drain source | 0,0039 O |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 2.5V |
| Numero di elementi per chip | 1 |
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