MOSFET Vishay, canale N 30 V, 33 mΩ Miglioramento, 12 A, 8 Pin, SOIC, Superficie SI4178DY-T1-GE3

Codice RS:: 165-7249
Codice costruttore:: SI4178DY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N 30 V, 33 mΩ Miglioramento, 12 A, 8 Pin, SOIC, Superficie SI4178DY-T1-GE3

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Codice RS:: 165-7249
Codice costruttore:: SI4178DY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	12A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Tipo di package	SOIC
	Serie	Si4178DY
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	33mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	850mV
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	5W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-25V, +25V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	7.5nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	5mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Larghezza	4mm
	Altezza	1.55mm
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 12A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Tipo di package SOIC
	Serie Si4178DY
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 33mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 850mV
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 5W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -25V, +25V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 7.5nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 5mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Larghezza 4mm
	Altezza 1.55mm
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

MOSFET serie Si4178DY di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 30 V, corrente di drenaggio continua massima di 12 A - SI4178DY-T1-GE3

Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N a montaggio superficiale progettato per la commutazione e la gestione dell'alimentazione in sistemi elettronici compatti. Offre una gestione della tensione moderata e un'elevata capacità di corrente continua, adatto per le applicazioni in cui sono richieste una commutazione efficiente ad alta corrente e una resistenza termica. Il componente è conforme alla direttiva RoHS ed è progettato per il montaggio a livello di scheda in progetti industriali e commerciali.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale di drenaggio di 30 V consente applicazioni di commutazione a media tensione
• La corrente continua di 12 A supporta il controllo del carico ad alta corrente
• L'Rds(on) di 33 mΩ riduce le perdite di conduzione nei percorsi di potenza
• La carica gate tipica di 7.5 nC consente transizioni gate veloci
• La dissipazione di potenza di 5 W aiuta a gestire il carico termico in contenitori di piccole dimensioni

Applicazioni

• Adatto per gli stadi di uscita dei convertitori CC-CC
• Ideale per la gestione delle batterie e la distribuzione dell'alimentazione
• Utilizzato con azionamenti per motori per attuatori compatti
• Può essere utilizzato per la commutazione del carico nelle apparecchiature di telecomunicazione

Quali sono i limiti di tensione di gate che i progettisti devono rispettare?

Il dispositivo accetta fino a 25 V tra gate e sorgente, pertanto i driver gate devono rimanere entro questo limite per evitare lo stress da ossido gate.

In che modo le prestazioni termiche influenzano le decisioni di layout del circuito stampato?

Con una dissipazione nominale di 5 W, i progettisti devono fornire un'adeguata area di rame e vie termiche al di sotto dell'ingombro SOIC per migliorare la diffusione del calore e mantenere la temperatura di giunzione entro i limiti.

In quale intervallo di temperatura ambiente può operare?

Funziona in modo affidabile da -55 °C a 150 °C, il che indica la scelta per le applicazioni esposte a ampi estremi termici.

Quali considerazioni sul contenitore e sul montaggio influenzano l'assemblaggio?

Il pezzo viene fornito in un contenitore a montaggio superficiale SOIC-8 con un'altezza del profilo totale di 1,55 mm, pertanto il design dello stencil e il volume della pasta di saldatura devono essere sintonizzati per ottenere giunti di saldatura uniformi.