MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 33 mΩ Miglioramento, 12 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

Codice RS:: 165-7249
Codice costruttore:: SI4178DY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 33 mΩ Miglioramento, 12 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

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Codice RS:: 165-7249
Codice costruttore:: SI4178DY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	12A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Serie	Si4178DY
	Tipo di package	SOIC
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	33mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	7.5nC
	Tensione diretta Vf	0.85V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	25V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	5W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	4mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Lunghezza	5mm
	Altezza	1.55mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 12A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Serie Si4178DY
	Tipo di package SOIC
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 33mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 7.5nC
	Tensione diretta Vf 0.85V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 5W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 4mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Lunghezza 5mm
	Altezza 1.55mm
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

MOSFET serie Si4178DY di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 30 V, corrente di drenaggio continua massima di 12 A - SI4178DY-T1-GE3

Si tratta di un MOSFET a canale N a montaggio superficiale progettato per la commutazione di potenza e le applicazioni ad alta corrente all'interno di sistemi elettronici. Funziona come transistor in modalità di miglioramento ed è fornito in un contenitore SOIC-8 per il montaggio su circuito stampato. Il dispositivo supporta la commutazione a tensione moderata ed è adatto per progetti che richiedono transistor di potenza compatti con caratteristiche di carica di gate controllate.

Caratteristiche e vantaggi:

• Tensione di drenaggio massima di 30 V che consente la commutazione dell'alimentazione a bassa tensione • Corrente di drenaggio continua di 12 A per gestire correnti di carico elevate • resistenza drain-source di 33 mΩ per ridurre le perdite di conduzione • Carica gate tipica da 7,5 nC per transizioni di commutazione più veloci • Capacità di dissipazione di potenza di 5 W per prestazioni termiche sostenute • Intervallo di funzionamento da -55 °C a 150 °C per un'ampia tolleranza termica

Applicazioni

• Adatto per interruttori di distribuzione dell'alimentazione CC nei pannelli di automazione • Ideale per la commutazione low-side del driver del motore negli azionamenti industriali • Utilizzato per la commutazione del carico nei circuiti di gestione dell'alimentazione per i sistemi di controllo • Può essere utilizzato per la rettifica sincrona nei convertitori di potenza compatti • Adatto per la protezione della batteria e il controllo del percorso di alimentazione nei macchinari

Quali sono i limiti di tensione gate da rispettare durante la progettazione?

La tensione gate-sorgente non deve superare ±25 V per evitare lo stress da ossido gate e garantire una commutazione affidabile.

Come deve essere affrontata la gestione termica sul circuito stampato?

Con una dissipazione nominale di 5 W, fornisce un'adeguata area di rame e vie termiche per abbassare la temperatura di giunzione durante il funzionamento continuo ad alta corrente.

Quali considerazioni sul numero di pin e sul contenitore influenzano il layout?

Il dispositivo arriva in un contenitore SOIC a 8 pin, pertanto le larghezze delle guide e la distanza tra i pad devono adattarsi all'assemblaggio a montaggio superficiale e alla conduzione termica.

Quale caratteristica elettrica regola la velocità di commutazione nelle applicazioni a impulsi?

La carica di gate tipica di 7,5 nC è il parametro chiave che influisce sui requisiti di azionamento e sui tempi di transizione di commutazione quando si selezionano i driver di gate.