MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 33 mΩ Miglioramento, 12 A, 8 Pin, SOIC, Superficie SI4178DY-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
812-3205
Codice costruttore:
SI4178DY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOIC

Serie

Si4178DY

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

33mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.5nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Tensione diretta Vf

0.85V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

5W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4 mm

Altezza

1.55mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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