MOSFET Vishay, canale N 30 V, 33 mΩ Miglioramento, 12 A, 8 Pin, SOIC, Superficie SI4178DY-T1-GE3
- Codice RS:
- 812-3205
- Codice costruttore:
- SI4178DY-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 20 unità*
11,00 €
(IVA esclusa)
13,40 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 1660 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,55 € | 11,00 € |
| 200 - 480 | 0,44 € | 8,80 € |
| 500 - 980 | 0,413 € | 8,26 € |
| 1000 - 1980 | 0,358 € | 7,16 € |
| 2000 + | 0,297 € | 5,94 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 812-3205
- Codice costruttore:
- SI4178DY-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 12A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | Si4178DY | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 33mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Tensione diretta Vf | 850mV | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -25V, +25V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 5W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 4mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Altezza | 1.55mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 12A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie Si4178DY | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 33mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Tensione diretta Vf 850mV | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -25V, +25V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 5W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 4mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 5mm | ||
Altezza 1.55mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET serie Si4178DY di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 30 V, corrente di drenaggio continua massima di 12 A - SI4178DY-T1-GE3
Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N a montaggio superficiale progettato per la commutazione e la gestione dell'alimentazione in sistemi elettronici compatti. Offre una gestione della tensione moderata e un'elevata capacità di corrente continua, adatto per le applicazioni in cui sono richieste una commutazione efficiente ad alta corrente e una resistenza termica. Il componente è conforme alla direttiva RoHS ed è progettato per il montaggio a livello di scheda in progetti industriali e commerciali.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale di drenaggio di 30 V consente applicazioni di commutazione a media tensione
• La corrente continua di 12 A supporta il controllo del carico ad alta corrente
• L'Rds(on) di 33 mΩ riduce le perdite di conduzione nei percorsi di potenza
• La carica gate tipica di 7.5 nC consente transizioni gate veloci
• La dissipazione di potenza di 5 W aiuta a gestire il carico termico in contenitori di piccole dimensioni
• La corrente continua di 12 A supporta il controllo del carico ad alta corrente
• L'Rds(on) di 33 mΩ riduce le perdite di conduzione nei percorsi di potenza
• La carica gate tipica di 7.5 nC consente transizioni gate veloci
• La dissipazione di potenza di 5 W aiuta a gestire il carico termico in contenitori di piccole dimensioni
Applicazioni
• Adatto per gli stadi di uscita dei convertitori CC-CC
• Ideale per la gestione delle batterie e la distribuzione dell'alimentazione
• Utilizzato con azionamenti per motori per attuatori compatti
• Può essere utilizzato per la commutazione del carico nelle apparecchiature di telecomunicazione
• Ideale per la gestione delle batterie e la distribuzione dell'alimentazione
• Utilizzato con azionamenti per motori per attuatori compatti
• Può essere utilizzato per la commutazione del carico nelle apparecchiature di telecomunicazione
Quali sono i limiti di tensione di gate che i progettisti devono rispettare?
Il dispositivo accetta fino a 25 V tra gate e sorgente, pertanto i driver gate devono rimanere entro questo limite per evitare lo stress da ossido gate.
In che modo le prestazioni termiche influenzano le decisioni di layout del circuito stampato?
Con una dissipazione nominale di 5 W, i progettisti devono fornire un'adeguata area di rame e vie termiche al di sotto dell'ingombro SOIC per migliorare la diffusione del calore e mantenere la temperatura di giunzione entro i limiti.
In quale intervallo di temperatura ambiente può operare?
Funziona in modo affidabile da -55 °C a 150 °C, il che indica la scelta per le applicazioni esposte a ampi estremi termici.
Quali considerazioni sul contenitore e sul montaggio influenzano l'assemblaggio?
Il pezzo viene fornito in un contenitore a montaggio superficiale SOIC-8 con un'altezza del profilo totale di 1,55 mm, pertanto il design dello stencil e il volume della pasta di saldatura devono essere sintonizzati per ottenere giunti di saldatura uniformi.
Link consigliati
- MOSFET Vishay 33 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie SI4178DY-T1-GE3
- MOSFET Vishay 47 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie SI4850EY-T1-GE3
- MOSFET Vishay 12 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie SI4090DY-T1-GE3
- MOSFET Vishay 3.9 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie SI4154DY-T1-GE3
- MOSFET Vishay 8 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie SI4162DY-T1-GE3
- MOSFET Vishay 47 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie SQ4850EY-T1-GE3
- MOSFET Vishay 9 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie SI4116DY-T1-GE3
- MOSFET Vishay 95 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie SI4848DY-T1-GE3