MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 33 mΩ Miglioramento, 12 A, 8 Pin, SOIC, Superficie SI4178DY-T1-GE3
- Codice RS:
- 812-3205
- Codice costruttore:
- SI4178DY-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 812-3205
- Codice costruttore:
- SI4178DY-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 12A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Serie | Si4178DY | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 33mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Tensione diretta Vf | 0.85V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 5W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 25V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1.55mm | |
| Larghezza | 4mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 12A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package SOIC | ||
Serie Si4178DY | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 33mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Tensione diretta Vf 0.85V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 5W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1.55mm | ||
Larghezza 4mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 5mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET serie Si4178DY di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 30 V, corrente di drenaggio continua massima di 12 A - SI4178DY-T1-GE3
Si tratta di un MOSFET a canale N a montaggio superficiale progettato per la commutazione di potenza e le applicazioni ad alta corrente all'interno di sistemi elettronici. Funziona come transistor in modalità di miglioramento ed è fornito in un contenitore SOIC-8 per il montaggio su circuito stampato. Il dispositivo supporta la commutazione a tensione moderata ed è adatto per progetti che richiedono transistor di potenza compatti con caratteristiche di carica di gate controllate.
Caratteristiche e vantaggi:
• Tensione di drenaggio massima di 30 V che consente la commutazione dell'alimentazione a bassa tensione • Corrente di drenaggio continua di 12 A per gestire correnti di carico elevate • resistenza drain-source di 33 mΩ per ridurre le perdite di conduzione • Carica gate tipica da 7,5 nC per transizioni di commutazione più veloci • Capacità di dissipazione di potenza di 5 W per prestazioni termiche sostenute • Intervallo di funzionamento da -55 °C a 150 °C per un'ampia tolleranza termica
Applicazioni
• Adatto per interruttori di distribuzione dell'alimentazione CC nei pannelli di automazione • Ideale per la commutazione low-side del driver del motore negli azionamenti industriali • Utilizzato per la commutazione del carico nei circuiti di gestione dell'alimentazione per i sistemi di controllo • Può essere utilizzato per la rettifica sincrona nei convertitori di potenza compatti • Adatto per la protezione della batteria e il controllo del percorso di alimentazione nei macchinari
Quali sono i limiti di tensione gate da rispettare durante la progettazione?
La tensione gate-sorgente non deve superare ±25 V per evitare lo stress da ossido gate e garantire una commutazione affidabile.
Come deve essere affrontata la gestione termica sul circuito stampato?
Con una dissipazione nominale di 5 W, fornisce un'adeguata area di rame e vie termiche per abbassare la temperatura di giunzione durante il funzionamento continuo ad alta corrente.
Quali considerazioni sul numero di pin e sul contenitore influenzano il layout?
Il dispositivo arriva in un contenitore SOIC a 8 pin, pertanto le larghezze delle guide e la distanza tra i pad devono adattarsi all'assemblaggio a montaggio superficiale e alla conduzione termica.
Quale caratteristica elettrica regola la velocità di commutazione nelle applicazioni a impulsi?
La carica di gate tipica di 7,5 nC è il parametro chiave che influisce sui requisiti di azionamento e sui tempi di transizione di commutazione quando si selezionano i driver di gate.
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