MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 31 mΩ Miglioramento, 11.1 A, 8 Pin, SOIC, Superficie SI4056DY-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
787-9137
Codice costruttore:
SI4056DY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

11.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

ThunderFET

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

31mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19.6nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

5.7W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4 mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.5mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, tensione media/ThunderFET®, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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