MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 47 mΩ Miglioramento, 8.5 A, 8 Pin, SOIC, Superficie SI4850EY-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
787-9014
Codice costruttore:
SI4850EY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOIC

Serie

Si4850EY

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

47mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

3.3W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5mm

Altezza

1.5mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, da 60V a 90V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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