MOSFET Vishay, canale N 100 V, 12 mΩ Miglioramento, 20 A, 8 Pin, SOIC, Superficie SI4090DY-T1-GE3

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Codice RS:
919-4218
Codice costruttore:
SI4090DY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

ThunderFET

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

7.8W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

45.6nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4mm

Lunghezza

5mm

Altezza

1.5mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TW

MOSFET canale N, tensione media/ThunderFET®, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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