MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 12 mΩ Miglioramento, 20 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

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Codice RS:
919-4218
Codice costruttore:
SI4090DY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SOIC

Serie

ThunderFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

45.6nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

7.8W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4 mm

Lunghezza

5mm

Altezza

1.5mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TW

MOSFET canale N, tensione media/ThunderFET®, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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