MOSFET singoli Vishay, canale Canale N 80 V, 0.0156 Ω Modalità di potenziamento, 33.7 A, 8 Pin, P, Montaggio
- Codice RS:
- 829-346
- Codice costruttore:
- SISS128LDN-T1-UE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 829-346
- Codice costruttore:
- SISS128LDN-T1-UE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 33.7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Tipo di package | P | |
| Serie | SISS | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0156Ω | |
| Modalità canale | Modalità di potenziamento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 39W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 13.5nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Larghezza | 3.30mm | |
| Lunghezza | 3.30mm | |
| Altezza | 1.04mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Massima corrente di scarico continua Id 33.7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Tipo di package P | ||
Serie SISS | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0156Ω | ||
Modalità canale Modalità di potenziamento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 39W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13.5nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Larghezza 3.30mm | ||
Lunghezza 3.30mm | ||
Altezza 1.04mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- IL
Il MOSFET a canale N ad alte prestazioni di Vishay è progettato per una gestione efficiente dell'alimentazione in un pacchetto compatto, garantendo un funzionamento affidabile in varie applicazioni impegnative.
La tecnologia TrenchFET Gen IV consente di migliorare l'efficienza e le prestazioni termiche
Bassi valori RDS(on), ottimizzando le perdite di conduzione durante il funzionamento
Testato per un'elevata affidabilità con unità sottoposte a tensione 100% R e UIS
Specifiche robuste con una tensione nominale drain-source di 80 V e una corrente massima di 33,7 A
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