MOSFET singoli Vishay, canale Canale N 100 V, 0.0027 Ω Modalità di potenziamento, 203 A, 8 Pin, P, Montaggio
- Codice RS:
- 829-344
- Codice costruttore:
- SIRS5100EPW-T1-RE3
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 unità*
3,34 €
(IVA esclusa)
4,07 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 13 settembre 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,34 € |
| 10 - 99 | 2,17 € |
| 100 - 499 | 1,52 € |
| 500 - 999 | 1,28 € |
| 1000 + | 1,20 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 829-344
- Codice costruttore:
- SIRS5100EPW-T1-RE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 203A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | P | |
| Serie | SIR | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0027Ω | |
| Modalità canale | Modalità di potenziamento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 205W | |
| Tensione diretta Vf | 1.1V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 32nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 6.15mm | |
| Altezza | 1.04mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Larghezza | 5.15mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Massima corrente di scarico continua Id 203A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package P | ||
Serie SIR | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0027Ω | ||
Modalità canale Modalità di potenziamento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 205W | ||
Tensione diretta Vf 1.1V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 32nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 6.15mm | ||
Altezza 1.04mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Larghezza 5.15mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- DE
Il MOSFET di potenza Vishay offre prestazioni elevate per le applicazioni che richiedono una commutazione efficiente. Con il suo design avanzato, consente una riduzione significativa della perdita di potenza e una migliore gestione termica complessiva.
Fornisce una tensione nominale drain-source di 100 V, garantendo un funzionamento affidabile
Raggiunge una bassa resistenza in stato attivo, che riduce al minimo la perdita di potenza durante la conduzione
Offre una corrente di drenaggio continua fino a 203 A, adatta per esigenze di potenza elevata
Struttura senza piombo e senza alogeni per la conformità alle normative ambientali
Link consigliati
- MOSFET singoli Vishay 0.0156 Ω Modalità di potenziamento 8 Pin Montaggio
- MOSFET singoli Vishay 0.00288 Ω Modalità di potenziamento 8 Pin Montaggio
- MOSFET singoli Vishay 0.054 Ω Modalità di potenziamento 8 Pin Montaggio
- MOSFET singoli Vishay 0.0192 Ω Modalità di potenziamento 8 Pin Montaggio superficiale
- MOSFET singoli Vishay 0.046 Ω Modalità di potenziamento 4 Pin Montaggio
- MOSFET singoli Vishay 0.0026 Ω Modalità di potenziamento 8 Pin Montaggio superficiale
- MOSFET singoli Vishay 0.0192 Ω Modalità di potenziamento 6 Pin Montaggio superficiale
- MOSFET singoli Vishay 0.025 Ω Modalità di potenziamento 8 Pin Montaggio superficiale