MOSFET singoli Vishay, canale Canale P -60 V, 0.025 Ω Modalità di potenziamento, -36 A, 8 Pin, P, Montaggio superficiale

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Codice RS:
829-353
Codice costruttore:
SQJ457EP-T1_NE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale P

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

-36A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-60V

Serie

SQJ

Tipo di package

P

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.025Ω

Modalità canale

Modalità di potenziamento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

245W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

65nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.9mm

Lunghezza

6.15mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Altezza

1.04mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
GB
Il MOSFET di potenza Vishay offre prestazioni affidabili per le applicazioni automobilistiche, fornendo una commutazione efficiente e un'elevata conducibilità termica per garantire un funzionamento robusto in varie condizioni.

Il dispositivo ha una qualifica AEC-Q101 per applicazioni automobilistiche

La tecnologia TrenchFET migliora l'efficienza e riduce le perdite di potenza

La resistenza in stato attivo a -10 V la tensione del gate è di 0,0250 Ohm

Corrente di drenaggio continua nominale di -36 A per applicazioni ad alte prestazioni

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