MOSFET singoli Vishay, canale Canale P -100 V, 0.0190 Ω Modalità di potenziamento, -93 A, 3 Pin, TO-263, Montaggio
- Codice RS:
- 829-357
- Codice costruttore:
- SQM100P10-19L_NE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 829-357
- Codice costruttore:
- SQM100P10-19L_NE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Canale P | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Massima corrente di scarico continua Id | -93A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -100V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | SQM | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0190Ω | |
| Modalità canale | Modalità di potenziamento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 124nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 375W | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 10.28mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Altezza | 4.57mm | |
| Lunghezza | 10.16mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Canale P | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Massima corrente di scarico continua Id -93A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -100V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie SQM | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0190Ω | ||
Modalità canale Modalità di potenziamento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 124nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 375W | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 10.28mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Altezza 4.57mm | ||
Lunghezza 10.16mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- GB
Il MOSFET di potenza Vishay è progettato per applicazioni automobilistiche, offrendo prestazioni efficienti ed elevata affidabilità. La tecnologia avanzata TrenchFET garantisce una gestione termica ottimale e capacità di commutazione efficaci.
La tecnologia TrenchFET migliora l'efficienza e le prestazioni termiche
Valore nominale per una tensione drain-source di -100 V, garantendo un funzionamento robusto
Contenitore progettato per una bassa resistenza termica per una migliore dissipazione del calore
I test mostrano una convalida R e UIS al 100% per un'elevata affidabilità
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