MOSFET singoli Vishay, canale Canale P 40 V, 0.013 Ω Modalità di potenziamento, 50 A, 3 Pin, TO-252, Montaggio

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Codice RS:
829-350
Codice costruttore:
SQD50P04-13L_NE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Canale P

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-252

Serie

SQD

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.013Ω

Modalità canale

Modalità di potenziamento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

60nC

Dissipazione di potenza massima Pd

136W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

6.50mm

Altezza

2.30mm

Lunghezza

6.10mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
GB
Il MOSFET di potenza Vishay offre capacità di commutazione ad alte prestazioni, progettate specificamente per le applicazioni automobilistiche, garantendo affidabilità ed efficienza in condizioni difficili.

La tecnologia TrenchFET migliora l'efficienza energetica

La bassa resistenza termica consente una gestione efficace del calore

La robusta qualifica AEC-Q101 garantisce prestazioni di alta qualità

Testato al 100% Rg e UIS per l'affidabilità del funzionamento

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