MOSFET STMicroelectronics, canale N 250 V, 18 mΩ Modalità di potenziamento, 56 A, 3 Pin, TO-263, Superficie STB25N018M9
- Codice RS:
- 839-144
- Codice costruttore:
- STB25N018M9
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Immagine rappresentativa della gamma
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 unità*
5,69 €
(IVA esclusa)
6,94 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 15 febbraio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 5,69 € |
| 10 - 99 | 3,73 € |
| 100 - 499 | 2,76 € |
| 500 - 999 | 2,48 € |
| 1000 + | 2,09 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 839-144
- Codice costruttore:
- STB25N018M9
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 56A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 250V | |
| Serie | STB Series | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 18mΩ | |
| Modalità canale | Modalità di potenziamento | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 85nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 320W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 10.3mm | |
| Altezza | 4.5mm | |
| Standard/Approvazioni | ROHS | |
| Larghezza | 10mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 56A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 250V | ||
Serie STB Series | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 18mΩ | ||
Modalità canale Modalità di potenziamento | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 85nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 320W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 10.3mm | ||
Altezza 4.5mm | ||
Standard/Approvazioni ROHS | ||
Larghezza 10mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza di STMicroelectronics è un componente a super-giunzione a canale N costruito sulla tecnologia avanzata MDmesh M9. Consente layout più piccoli e compatti senza compromettere la capacità termica.
Tipo di contenitore per montaggio superficiale D2PAK
Processo di produzione multi-drain basato sul silicio
Bassa carica di gate con un'eccezionale efficienza
Capacità dv/dt migliorata e testato a valanga
Link consigliati
- MOSFET STMicroelectronics 18 mΩ Modalità di potenziamento 3 Pin Superficie STB25N018M9
- MOSFET STMicroelectronics 1.6 mΩ Modalità di potenziamento 8 Pin Superficie
- Modalità di potenziamento MOSFET di potenza STMicroelectronics 2.3 mΩ 80 V PowerFLAT, Montaggio
- MOSFET di potenza STMicroelectronics 1.65 Ω 1200 V H2PAK-2, Montaggio
- Modalità di potenziamento MOSFET di potenza STMicroelectronics 4.5 mΩ 80 V PowerFLAT, Montaggio
- MOSFET STMicroelectronics 4.6 mΩ Modalità di potenziamento 8 Pin Superficie
- MOSFET STMicroelectronics 1.9 mΩ Modalità di potenziamento 7 Pin Superficie
- MOSFET singoli Vishay 0.0190 Ω Modalità di potenziamento 3 Pin Montaggio