Modalità di potenziamento MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale N, 4.5 mΩ 80 V, 126 A N, PowerFLAT, Montaggio

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Codice RS:
898-599
Codice costruttore:
STL110N8F8
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

126A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

PowerFLAT

Serie

STL

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.5mΩ

Modalità canale

N

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

47nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Configurazione transistor

Modalità di potenziamento

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

ECOPACK2

Larghezza

5mm

Altezza

1mm

Lunghezza

5.8mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza in modalità di potenziamento a canale N di STMicroelectronics è progettato con la tecnologia STripFET F8 e presenta una struttura a gate a trincea migliorata. Garantisce una figura di merito all'avanguardia per una resistenza in stato attivo molto bassa, riducendo al contempo le capacità interne e la carica del gate per una commutazione più rapida ed efficiente.

Grado MSL1

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Bassa carica del gate

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